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高性?xún)r(jià)比LED照明芯片是方向

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• 發(fā)布時(shí)間：2014-12-15
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    半導(dǎo)體LED燈替代白熾燈與日光燈是大勢(shì)所趨，在這一領(lǐng)域，日美等國(guó)占盡先機(jī)，分別壟斷了藍(lán)寶石襯底和碳化硅襯底半導(dǎo)體LED技術(shù)路線。在此情況下，教育部發(fā)光材料與器件工程研究中心(南昌大學(xué))創(chuàng)造性發(fā)展了一條新的半導(dǎo)體LED技術(shù)路線———硅襯底半導(dǎo)體LED技術(shù)路線，改變了日美等國(guó)壟斷這一領(lǐng)域核心技術(shù)的局面，改寫(xiě)了世界LED歷史。經(jīng)過(guò)3000多次實(shí)驗(yàn)，江風(fēng)益和他的團(tuán)隊(duì)頂住了業(yè)界的懷疑與不解，無(wú)怨無(wú)悔地堅(jiān)守著硅襯底技術(shù)，終于從跟蹤走向了跨越，發(fā)明了一種特殊過(guò)渡層和特定的硅表面加工技術(shù)，克服了外延層和襯底之間巨大的晶格失配和熱失配，在第一代半導(dǎo)體硅材料上，成功地制備了高質(zhì)量的量子阱結(jié)構(gòu)的第三代半導(dǎo)體GaN材料，研制成功硅襯底藍(lán)光、綠光和白光LED。其發(fā)光效率、可靠性與器件壽命等各項(xiàng)技術(shù)指標(biāo)在同類(lèi)研究中處于國(guó)際領(lǐng)先地位，并在國(guó)際上率先實(shí)現(xiàn)了這一新技術(shù)產(chǎn)品的批量生產(chǎn)。采用該成果生產(chǎn)的LED芯片成本顯著低于藍(lán)寶石襯底和碳化硅襯底LED芯片。該技術(shù)對(duì)藍(lán)光LED來(lái)說(shuō)是一種改寫(xiě)歷史的新技術(shù)。該成果還制備出全球第一塊硅襯底LED全彩色顯示顯像屏(其中藍(lán)光和綠光LED是在硅襯底上制備的)。

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