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近日，由揚州大學物理學院承擔的我省科技攻關項目大功率高亮度LED芯片研究取得重大進展，首批試制樣品已上線接受1000小時的性能測試。這款由我國自主研發的新光源芯片，將用于替代國外同類產品。據了解，作為光電強省，我省去年開始展開高性能LED芯片的研究。揚大物理學院光電研究中心與揚州華夏光電合作，對國產芯片的電極形狀進行優化設計，著力解決發熱量大、衰減快、發光效率低等穩定性問題，以提高其使用壽命和發光效率。目前首批新型芯片樣品已經試制成功，并已經獲得3項國家專利，經過1000小時連續帶電測試后，研究人員還將對細節進行改進，新芯片的穩定使用壽命約能提高到5萬小時以上。
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